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IRF9Z20, SiHF9Z20
Vishay Siliconix
5.0
4.0
3.0
80 μs Pulse Test
V DS < - 50 V
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
1.25
1.15
1.05
I D = 1 mA
2.0
1.0
0.0
0.95
0.85
0.75
0
4
8
12
16
20
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
90121_06
Negative I D, Drain Current (A)
90121_08
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 5 - Typical Transconductance vs. Drain Current
Fig. 7 - Breakdown Voltage vs. Temperature
10 2
3.0
I D = - 9.7 A
5
2
2.4
V GS = - 10 V
10
5
2
1
5
2
0.1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1.8
1.2
0.6
0.0
0
2
4
6
8
10
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
90121_07
Negative V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
90121_09
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 6 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 8 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
Document Number: 90121
S11-0511-Rev. B, 21-Mar-11
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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